Avalance Photodiode
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작성일 22-11-10 09:01
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응답속도의 improvement(개선)을 위해서는 일반적으로
1. 역bias를 인가해 Cj를 적게한다
2. 수광면적을 작게한다
3. 부하저항을 작게한다 등을 생각할수 있다
그러나 다른속성 과의 관계가 있으므로 주의할 필요가 있다 PIN Si 포토다이오드는고속 광검출에 대단히 유효하다
4)암전류
수광소자에 광을 조사하지 않을때 흐르는 전류를 암전류 (Id)라고한다 .
수광소자로써는Id 가 적어야 한다 . 이것은 저조도 영역의 검출한계도 되기때문이다 . 암전류는 역bias와 주변온도 의 상승에 따라 증가한다 . 따라서 저조도에 있어서의 Linearity가 필요한경우는 절대적으로 역bias를 피해야 한다
3. 형상
Photo diode는 그 Package방법에 따라 속성 이 크게 변
한다 . 그러므로 용도에 맞는것을 선택할 필요가 있다 .
그림7. (a)의 Photo diode는 수지성형…(drop)
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다.
2) 분광감도
수광소자와 조합광원 ( 태양광 , 형광등 , 텅스텐 전구 , LED , Laser광등)은 각각 독자의 발광파장을 가지고 있다 . 그러나 광전자 수광소자는 실리콘 기판 으로써 소자(CHIP)자체 로써는 가시광 영역부터 근적외에 이르는 넓은 분광감도를 가지고 있기 때문에 대부분의 광원과의 조합이 가능하다 . 또 사용목적에 따라 광학적 필터를 붙인 Device도있고 가시광 영역만의 감도를 갖는 수광소자와 적외광만의 감도를 갖는 수광소자도 있다 .
3) 응답속성
응답속도는 외부 부하저항 Rs , P층N층의 접합용량 Cj의 시정수로 대부분
결정된다된다.
